Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
2N7002E Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N?Channel, SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 1100 860 0.26 0.3 SOT-23-3
Si1031R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 15000 - 12000 8000 - 0.155 0.3 SC75A
BSS84DW DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -50 - - - - - -0.13 0.3 SOT-363
BSS84 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -50 - - - - 10000 -0.13 0.3 SOT-23-3
Si1032X N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 9000 - 7000 5000 - 0.2 0.3 SC89-3
Si1032R N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 9000 - 7000 5000 - 0.2 0.3 SC75A
BSS138W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 1400 0.2 0.3 SOT-323
BSS138 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3500 0.2 0.3 SOT-23-3
NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 1200 0.28 0.3 SOT-23-3
BS870 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3500 0.25 0.3 SOT-23-3
NTA7002N Small Signal MOSFET 30 V, 154 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 ON Semiconductor MOSFET
N 1 300 242 - - 1400 - 0.154 0.3 SC75
2N7002E N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - 2000 1600 0.24 0.3 SOT-23-3
NTA4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N?Channel with ESD Protection, SC?75 ON Semiconductor MOSFET
N 1 20 242 - - 127 - 0.915 0.3 SC75
MMBF170 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - 5300 5000 0.5 0.3 SOT-23-3
FDG6303N Dual N-Channel, Digital FET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 25 - - 440 340 - 0.5 0.3 SC70-6
NTE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N?Channel with ESD Protection, SC?89 ON Semiconductor MOSFET
N 1 20 242 - - 127 - 0.915 0.3 SC?89
2N7002 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 4400 0.115 0.3 SOT-23-3
NTA4151P Small Signal MOSFET ?20 V, ?760 mA, Single P?Channel, Gate Zener, SC?75 ON Semiconductor MOSFET
P 1 20 490 - - 260 - 0.76 0.301 SC75
NTE4151P Small Signal MOSFET ?20 V, ?760 mA, Single P?Channel, Gate Zener, SC?89 ON Semiconductor MOSFET
P 1 20 490 - - 260 - 0.76 0.301 SC?89
NTS4101P Power MOSFET ?20 V, ?1.37 A, Single P?Channel, SC?70 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 83 - -1.37 0.329 SC70
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019