Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFH7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-247
IXFT6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-268
IXFH6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-247AD
IXTM6N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-204AA
IXTH6N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-247
IXFM6N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-204AA
IXFH6N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-247AD
IXTP5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-220
IXTA5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-263
FDY2000PZ -20V Dual P-Channel Specified PowerTrench® MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
P 2 -20 2700 1600 - 1200 - -0.35 0.625 SOT-563
IXTH10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-247
IXTT10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-268
IXTP3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 1500 1500 1500 1500 1500 3 125 TO-220AB
IXTA3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 1500 1500 1500 1500 1500 3 125 TO-263
IXFH7N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1500 1500 1500 1500 1500 7 180 TO-247AD
IXFT7N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1500 1500 1500 1500 1500 7 180 TO-268
IXFM7N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 180 TO-204AA
IXFH7N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 180 TO-247AD
IXFP7N80PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 3.5 50 TO-220
IXFI7N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 200 TO-220
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019