Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| DMN3052L | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 33 | 26 | 5.4 | 1.4 |
SOT-23-3 |
| TK25Z60X | N-канальныq MOSFET транзистор семейства DTMOS IV-H с рабочим напряжением 600 В |
|
Toshiba |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 12.5 | 25 | 180 |
|
| Si5404BDC | N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | 3.1 | 2.2 | - | 5.4 | 1.3 |
ChipFET_1206-8 |
| STW14NM65N | N-channel 650 V, 0.33 ?, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-247 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 330 | 12 | 125 |
|
| IXFN80N48 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 480 | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 | 80 | 700 |
|
| IXTH102N20T | N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 23 | 23 | 23 | 23 | 23 | 102 | 750 |
|
| STP2NK60Z | N-CHANNEL 600V - 7.2? - 1.4A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 7200 | 1.4 | 45 |
TO-220 |
| FDS5672 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 8.8 | 12 | 2.5 |
SOIC-8 |
| IXTA110N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 6.6 | 6.6 | 6.6 | 6.6 | 6.6 | 110 | 180 |
|
| IRF7603 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 600 | 35 | 5.6 | 1.8 |
|
| PH3855L | N-channel TrenchMOS(tm) logic level FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 34 | 32 | 24 | 50 |
|
| IRFS3004-7PPbF | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 0.9 | 400 | 380 |
D2-PAK-7 |
| IXTT170N10P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | 170 | 714 |
|
| STP4NK80ZFP | N-channel 800V - 3? - 3A - TO-220FP Zener - Protected SuperMESH™ MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 3000 | 3 | 25 |
|
| FQD10N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 290 | 7.6 | 51 |
D-PAK |
| STL110N10F7 | N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 21 А |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 6 | 21 | 5 |
|
| IRLZ34N | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 60 | 35 | 30 | 56 |
TO-220AB |
| STP60N55F3 | N-channel 55V - 6.5m? - 80A - TO-220 STripFETTM II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 6.5 | 80 | 110 |
TO-220 |
| IXTK128N15 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 128 | 540 |
|
| IXFR16N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 1040 | 1040 | 1040 | 1040 | 1040 | 9 | 230 |
|
