Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRL3803S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 9 6 140 200 D2-PAK
IXFH30N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 240 240 240 240 240 30 500 PLUS220
IRFIZ34G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - - 50 20 42 TO-220F
Si4840DY N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 40 - - - 9.5 7.5 10 1.56 SOIC-8
FDP120AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 150 - - - - 101 14 65 TO-220AB
STD36NH02L N-channel 24V - 0.011? - 30A - DPAK STripFET™ III Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 24 - - - - 11 30 45 D-PAK
IPW60R160C6 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 600 - - - - 140 23.8 176 TO-247
STI14NM65N N-channel 650 V, 0.33 ?, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET I2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 330 12 125 I2PAK
IXTT30N60L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 600 240 240 240 240 240 30 540 TO-268
IRFR3707 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 17.5 13 61 87 D-PAK
IXTH1N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 40000 40000 40000 40000 40000 1.5 250 TO-247AD
IRF634NPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 250 - - - - 435 8 88 TO-220AB
FDA62N28 280V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 280 - - - - 43 62 500 TO-3PN
STB75NF20 N-channel 200V - 0.065? - 30A - D2PAK Low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 65 30 125 D2-PAK
IXFH68N20 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 35 35 35 35 35 68 360 TO-247AD
STP9NK90Z N-channel 900V - 1.1? - 8A - TO-220 Zener-protected superMESHTM MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 900 - - - - 1100 8 160 TO-220
FDMC86570LET60 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 60 В, 87 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 6.5 4.3 87 65 Power 33
IXTA200N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 85 5 5 5 5 5 200 480 TO-263
FDS6961A Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 30 - - - 107 76 3.5 2 SOIC-8
PH4840S N-channel TrenchMOS intermediate level FET NXP MOSFET
N 1 40 - - - - 3.5 94.5 62.5 SOT-669
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019