Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
ZXMN3G32DN8 30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
N 2 30 - - - 45 28 7.1 2.1 SOIC-8
STS9D8NH3LL Dual N-channel 30 V - 0.012 ? - 9 A - SO-8 low on-resistance STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 2 30 - - - 20 18 8 2 SOIC-8
IRF7555 HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 2 20 - - 105 55 - 4.3 1.25 Micro 8
FDS8984 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 30 - - - 24 19 7 1.6 SOIC-8
ZXMP3A17DN8 DUAL P-CHANNEL 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
P 2 -30 - - - 110 70 -4.4 1.25 SOIC-8
FDS6894A Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 21 - - 13 - 8 1.6 SOIC-8
Si9926BDY Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 20 - - 24 16 - 6.2 1.14 SOIC-8
FDMC7672S N-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® SyncFET 30 В, 14.8 А, 6.0 мОм Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 30 - - - 7.1 6 18 36 MLP-8
STS4DPF20L DUAL P-CHANNEL 20V - 0.07 W - 4A SO-8 STripFET™ POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 2 20 - - - 85 70 4 1.6 SOIC-8
Si1025X P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 60 - - - 8000 4000 0.19 0.25 SC89-6
BSS84V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -50 - - - - - -0.13 0.15 SOT-563
SiA513DJ N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N+P 2 12 - - 152 91 - 4.5 6.5 PowerPAK SC70-6
Si6943BDQ Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 12 - - 8 6 - 2.3 0.8 TSSOP-8
Si7872DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 20 16 6.4 1.4 PowerPAK_SO-8
TSM6981DCA Сдвоенный P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 2 -20 60 50 - 40 - -5 1.14 TSSOP-8
IRF7901D1 HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 30 - - - 32 - 6.2 2 SOIC-8
Si4500BDY Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) Vishay MOSFET
N+P
N+P 2 20 - - 24 16 - 3.8 1.3 SOIC-8
DMN5L06DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 - - - - 3500 0.308 0.4 SOT-26
NTLJD2104P Power MOSFET ?12 V, ?4.3 A, COOL Dual P?Channel, 2x2 mm, WDFN package ON Semiconductor MOSFET
P 2 -12 110 - - 60 - -3.5 1.5 WDFN6
ZXMN3F31DN8 30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
N 2 30 - - - 39 24 7.3 2.1 SOIC-8
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019