Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STP11NM80 N-channel 800 V - 0.35 ? - 11 A - TO-220 MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 350 11 150 TO-220
FDB5800 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 5.8 4.6 80 242 TO-263AB
IRLR8743PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 3.9 3.1 160 135 D-PAK
NCV8405 Защищенные MOSFET-транзисторы для управления вторичными цепями ON Semiconductor MOSFET
N 1 42 - - - - 90 6 11.4 SOT-223-4
IXFH15N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 760 760 760 760 760 15 543 TO-247
IRFPC40 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 1200 6.8 150 TO-247AC
SUD17N25-165 N-Channel 250-V (D-S) 175°C MOSFET Vishay MOSFET
N 1 250 - - - - 131 17 136 D-PAK
STB3NK60Z N-CHANNEL 600V - 3.3W - 2.4A D2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 3300 2.4 45 D2-PAK
HUF75329S3S N-Channel UltraFET Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 55 - - - - 20 49 128 TO-263AB
IRFU2405 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 16 56 110 I-PAK
IPB80N06S4L-07 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - 7.6 5.2 80 79 TO-263-3
IXFR200N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 9 9 9 9 9 133 300 ISOPLUS247
STB200NF04L N-CHANNEL 40V - 3 m? - 120 A D?PAK/I?PAK STripFET™ II MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 3.8 120 300 D2-PAK
I2PAK
IRFB20N50K HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 210 20 280 TO-220AB
STB16NM50N N-channel 500 V - 0.21 ? - 15 A MDmesh™ II Power MOSFET D2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 210 15 125 D2-PAK
MTW32N20E Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N?Channel TO?247 ON Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 64 32 180 TO-247
NTMS4802N Power MOSFET 30 V, 18 A, N?Channel, SOIC?8 ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 4.3 3.2 18 2.5 SOIC-8
Si8402DB 20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 35 - 33 31 - 5.3 1.47 Micro Foot
IXFR44N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 154 154 154 154 154 25 300 ISOPLUS247
FDMS7672 N-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® 30 В, 28 А, 5.0 мОм Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 6.9 5 28 48 Power 56
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019