Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
SUM110N06-04L N-Channel 60-V (D-S) 175°C MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - 4 2.8 110 437.5 D2-PAK
STU90N4F3 N-channel 40 V, 5.4 m?, 80 A, IPAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 5.4 80 110 I-PAK
IRFS23N15D HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 150 - - - - 90 23 3.8 D2-PAK
FDS3890 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 80 - - - - 34 4.7 2 SOIC-8
STP20NM50FD N-channel 500 V, 0.22 ?, 20 A TO-220 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 220 20 192 TO-220
IPP60R950C6 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 600 - - - - 860 4.4 37 TO-220
IRF730AL HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 400 - - - - 1000 5.5 74 TO-262
STP11NM60 N-channel 650V @ TJmax - 0.4? - 11A TO-220 MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 20 - - - - 400 11 160 TO-220
IXTH130N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 100 9.1 9.1 9.1 9.1 9.1 130 360 TO-247
NTMFS5C442NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 40 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 4 2.8 121 69 DFN-5
Si1032R N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 9000 - 7000 5000 - 0.2 0.3 SC75A
FDP8443_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - - 2.7 80 188 TO-220AB
IXFN180N20 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 10 10 10 10 10 100 700 SOT-227 B
PHP36N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 30 - - - 18 14 43.4 57.6 SC46
IXFK15N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-264AA
IRF6785 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 200 - - - - 100 19 57 DirectFET MZ
RFD14N05L N-Channel Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 50 - - - 100 - 14 48 TO-251 AA
STP21NM60N N-channel 600 V - 0.17 ? - 17 A TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 170 17 140 TO-220
IRLU8259PbF 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 25 - - - 10.6 6.3 57 48 I-PAK
STB180N10F3 N-channel 100 V, 4.0 m?, 120 A STripFET™ Power MOSFET D2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 4.5 120 315 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019