Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
FDB047N10 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 3.9 120 375 D2-PAK
TO-263
STF30NM60N N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 100 25 40 TO-220FP
IXFN80N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 55 55 55 55 55 80 780 SOT-227 B
IRF1104 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 9 100 170 TO-220AB
ZXMN6A11DN8 60V SO8 Dual N-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
N 2 60 - - - 180 120 3.2 1.25 SOIC-8
NTD40N03R Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts N?Channel DPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 25 - - - 12.6 18.6 45 50 D-PAK
DPAK-3
IRLI540G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 77 17 48 TO-220F
IRFPS38N60LPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 120 38 540 TO-274AA
Si4848DY N-Channel 150-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 150 - - - - 68 2.7 1.5 SOIC-8
FQN1N50C 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 4600 0.38 0.89 TO-92
STD7N52K3 N-channel 525 V, 0.84 ?, 6.3 A, DPAK SuperMESH3™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 525 - - - - 840 6.3 90 D-PAK
IPP50R500CE 500В силовой транзистор серии CoolMOS™ CE Infineon Technologies MOSFET
N 1 500 - - - - 500 24 28 TO-220
IRFZ24V HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 60 17 44 TO-220AB
PSMN2R0-30PL N-channel 30 V 2.1 m? logic level MOSFET NXP MOSFET
N 1 30 - - - 2 1.7 100 211 TO-220AB
IXFK120N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 22 22 22 22 22 120 714 TO-264
STS14N3LLH5 N-channel 30 V, 0.005 ?, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - 6.2 5 14 2.7 SOIC-8
IRFBC40LCPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 1200 6.2 125 TO-220AB
VN10LP N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 5000 0.27 0.625 TO-92
NTB90N02 Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts N?Channel D2PAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 24 - - - 7.5 5 90 85 D2-PAK
Si1472DH N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - - 65 46 5.6 2.8 SC70-6
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019