Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFX52N60Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
N 1 600 115 115 115 115 115 52 735 PLUS247
SiB417DK P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 8 76 - 58 42 - 9 13 PowerPAK_SC-75
IPP023NE7N3G OptiMOS™ 3 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 75 - - - - 2.1 120 300 TO-220-3 ISO
STF23NM60ND N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-220FP FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 150 20 35 TO-220FP
Si3424BDV N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - - 31.5 23 8 2.98 TSOP-6
TSM4N90CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 900 В, 4 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 900 - - - - 4000 4 123 TO-220
IXTV36N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 170 170 170 170 170 36 540 PLUS220
FDB3682 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36m? Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 32 32 95 TO-263
IRFI9610GPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 200 - - - - 3000 2 27 TO-220F
2N4416A N-CHANNEL J-FET Microsemi MOSFET
N 1 -35 - - - - - 10 0.3 TO-72
STP20NM60FP N-channel 600V - 0.25? - 20A - TO-220FP MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 250 20 45 TO-220FP
IRF5210L HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 100 - - - - 60 38 200 TO-262
FMD40-06KC Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 60 60 60 60 60 38 280 ISOPLUS_i4
NTHS4501N Power MOSFET 30 V, 6.7 A, Single N?Channel, ChipFET Package ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 40 30 4.9 1.3 ChipFET_1206-8
FDD3N40 400V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 400 - - - - 2800 2 30 D-PAK
IRFP32N50KPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 135 32 460 TO-247AC
STB80NF10 N-channel 100V - 0.012? - 80A - D2PAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 12 80 300 D2-PAK
IRFZ44ZS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 13.9 51 80 D2-PAK
IXFK26N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 300 300 300 300 300 26 560 TO-264AA
STW11NM80 N-channel 800 V - 0.35 ? - 11 A - TO-247 MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 350 11 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019