Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STB8NM60 | N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET D2PAK |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 900 | 8 | 100 |
D2-PAK |
| SiB417DK | P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 8 | 76 | - | 58 | 42 | - | 9 | 13 |
|
| FDB3682 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36m? |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 32 | 32 | 95 |
|
| TSM4N90CZ | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 900 В, 4 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 4000 | 4 | 123 |
TO-220 |
| Si3424BDV | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 31.5 | 23 | 8 | 2.98 |
|
| STF23NM60ND | N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-220FP FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 150 | 20 | 35 |
|
| IPP023NE7N3G | OptiMOS™ 3 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 2.1 | 120 | 300 |
|
| IXTV36N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 170 | 170 | 170 | 170 | 170 | 36 | 540 |
|
| IRFI9610GPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 200 | - | - | - | - | 3000 | 2 | 27 |
TO-220F |
| FDD3N40 | 400V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 2800 | 2 | 30 |
D-PAK |
| FMD40-06KC | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 38 | 280 |
|
| IRF5210L | HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
P | 1 | 100 | - | - | - | - | 60 | 38 | 200 |
TO-262 |
| STP20NM60FP | N-channel 600V - 0.25? - 20A - TO-220FP MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 250 | 20 | 45 |
|
| 2N4416A | N-CHANNEL J-FET |
|
Microsemi |
MOSFET |
N | 1 | -35 | - | - | - | - | - | 10 | 0.3 |
|
| NTHS4501N | Power MOSFET 30 V, 6.7 A, Single N?Channel, ChipFET Package |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 40 | 30 | 4.9 | 1.3 |
ChipFET_1206-8 |
| IRFP32N50KPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 135 | 32 | 460 |
TO-247AC |
| IXTH110N25T | N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 110 | 694 |
|
| IXFK26N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 300 | 300 | 300 | 300 | 300 | 26 | 560 |
|
| IRFZ44ZS | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 13.9 | 51 | 80 |
D2-PAK |
| STB80NF10 | N-channel 100V - 0.012? - 80A - D2PAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 12 | 80 | 300 |
D2-PAK |
