Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTN600N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 40 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05 600 940 SOT-227
IXFN520N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 480 940 SOT-227
IXFH340N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 340 935 TO-247
IXTH360N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 360 935 TO-247
IXFT340N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 340 935 TO-268
IXTT360N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 360 935 TO-268
IXTH420N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 40 2 2 2 2 2 420 935 TO-247
IXFN180N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 12.9 12.9 12.9 12.9 12.9 155 900 SOT-227
IXFN160N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 300 19 19 19 19 19 130 900 SOT-227
IXTT12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-268
IXFN38N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 250 250 250 250 250 38 890 SOT-227 B
IXFH94N30T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 36 36 36 36 36 94 890 TO-247
IXFB38N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 250 250 250 250 250 38 890 PLUS220
IXFN44N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 220 220 220 220 220 37 890 SOT-227 B
IXFN170N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 18 18 18 18 18 138 890 SOT-227 B
IXFN30N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 350 350 350 350 350 30 890 SOT-227 B
IXTN170P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -100 12 12 12 12 12 -170 890 SOT-227
IXFN72N55Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 550 72 72 72 72 72 72 890 SOT-227 B
IXTX170P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -100 12 12 12 12 12 -170 890 PLUS247
IXTN32P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 350 350 350 350 350 -32 890 SOT-227
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники