Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
FDU6676AS N-Channel PowerTrench SyncFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 5.8 4.8 90 70 I-PAK
STP7NK80Z N-channel 800V - 1.5? - 5.2A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 1500 5.2 125 TO-220
IXFN80N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 65 65 65 65 65 63 780 SOT-227 B
Si3459BDV P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 60 - - - 240 180 2.9 3.3 TSOP-6
STP200N4F3 N-channel 40V - 0.0035? - 120A - TO220 planar STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 4 120 300 TO-220
IXFK44N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 140 140 140 140 140 44 650 TO-264
IRF530NL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 90 17 79 TO-262
FDA50N50 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 89 48 625 TO-3PN
STP30NM60N N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 100 25 190 TO-220
IXTQ480P2 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 120 120 120 120 120 52 960 TO-3P
FDMS86255ET150 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 150 В, 63 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 150 - - - - 12.4 63 136 Power 56
SUP90N15-18P N-Channel 150-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 150 - - - - 14.5 90 375 TO-220
STD11NM60N N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - IPAK DPAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 370 10 90 D-PAK
I-PAK
FQU18N20V2 200V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 120 15 2.5 I-PAK
IPP45N06S4-09 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 7.9 45 71 TO-220
IXTA42N25P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 250 84 84 84 84 84 42 300 TO-263
TSM1NB60CP Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 10000 0.5 39 TO-252
IRLZ44SPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - - 28 50 150 D2-PAK
STB12NM60N N-channel 600V - 0.35? - 10A - D2/I2PAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 350 10 90 D2-PAK
I2PAK
IRLU4343 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - 65 50 26 79 I-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019