Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IRLI540G | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 77 | 17 | 48 |
TO-220F |
| IXTQ86N20T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 29 | 29 | 29 | 29 | 29 | 86 | 480 |
|
| IRLR8103V | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 10.5 | 9 | 91 | 89 |
D-PAK |
| STB75NF20 | N-channel 200V - 0.028? - 75A - D2PAK Low gate charge STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 28 | 75 | 190 |
D2-PAK |
| IRLU8743PbF | 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 3 | 2.4 | 160 | 135 |
|
| NTP75N03R | Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N?Channel TO-220 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 8.1 | 5.6 | 75 | 2.08 |
TO-220 |
| IRFI720GPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 1800 | 2.6 | 30 |
TO-220F |
| IXTA70N085T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 85 | 13.5 | 13.5 | 13.5 | 13.5 | 13.5 | 70 | 176 |
|
| IXFH50N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 145 | 145 | 145 | 145 | 145 | 50 | 1040 |
|
| IRFSL3306PBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 4.2 | 75 | 230 |
TO-262 |
| STD6NF10 | N-channel 100 V, 0.22 ?, 6 A, DPAK low gate charge STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 220 | 6 | 30 |
D-PAK |
| NTD5807N | Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N?Channel, DPAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 29 | 20 | 23 | 33 |
|
| STFW3N150 | N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | - | - | - | - | 1100 | 2.5 | 0 |
|
| FA57SA50LC | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 80 | 57 | 625 |
SOT-227 |
| IXFX52N60Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 115 | 115 | 115 | 115 | 115 | 52 | 735 |
|
| IXFR180N07 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 70 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 180 | 400 |
|
| IRF7413Z | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 13 | 10 | 13 | 2.5 |
SOIC-8 |
| STU95N2LH5 | N-channel 25 V, 0.0038 ?, 80 A - IPAK STripFET™ V Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | - | 4.4 | 80 | 70 |
|
| FDMS86181 | N-канальный MOSFET транзистор на 100 В / 124 А и экранированным затвором, выполненный по технологии PowerTrench® |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 4.2 | 124 | 125 |
Power 56 |
| FQU2N90 | 900V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 5600 | 1.7 | 50 |
|
