Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
STI30NM60ND | N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) I2PAK | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 110 | 25 | 190 |
|
|
BUZ30AH3045A | SIPMOS™ Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 130 | 21 | 125 |
TO-263-3 |
|
IXTT26N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 270 | 270 | 270 | 270 | 270 | 26 | 460 |
|
|
IXTX22N100L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 600 | 600 | 600 | 600 | 600 | 22 | 600 |
|
|
IXFH12N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|
|
IRL2505L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 8 | 104 | 200 |
TO-262 |
|
STV240N75F3 | N-channel 75 V - 2.3 m? - 240 A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 2.3 | 240 | 300 |
|
|
ZVN3320F | SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 25000 | 0.06 | 0.33 |
SOT-23-3 |
|
STW9N150 | N-channel 1500 V - 1.8 ? - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | - | - | - | - | 1800 | 8 | 320 |
|
|
IRF840AL | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 850 | 8 | 125 |
TO-262 |
|
IXKP24N60C5M | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 165 | 165 | 165 | 165 | 165 | 8.5 | 34 |
|
|
IXFC26N50 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 23 | 230 |
|
|
IRFIZ34N | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 40 | 21 | 31 |
TO-220 |
|
ZVN0124A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 240 | - | - | - | - | 16000 | 0.16 | 0.7 |
TO-92 |
|
FQI6N25 | 250V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 820 | 5.5 | 63 |
|
|
STF23NM60ND | N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-220FP FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 150 | 20 | 35 |
|
|
SiA421DJ | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 30 | - | - | - | 46 | 29 | 12 | 19 |
PowerPAK SC70-6 |
|
IXFH96N20P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 96 | 600 |
|
|
IXTC75N10 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 72 | 230 |
|
|
IRF3315L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 82 | 21 | 94 |
TO-262 |