Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRLS4030-7PPbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - 3.3 3.2 190 370 D2-PAK-7
NTD4804N Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 4.7 3.4 19 2.5 D-PAK
3 IPAK
I-PAK
IXFX120N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 300 24 24 24 24 24 120 960 PLUS247
IRFIBE30GPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 800 - - - - 3000 2.1 35 TO-220F
STB150NF55 N-channel 55V - 0.005? - 120A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 5 120 300 D2-PAK
IXTA60N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 100 18 18 18 18 18 60 176 TO-263
IRFU2405 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 16 56 110 I-PAK
DMN66D0LT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3000 0.115 0.2 SOT-523
IXTP05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-220
IXFR24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 420 420 420 420 420 13 208 ISOPLUS247
IRF530 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 160 14 88 TO-220AB
IXFV110N10P PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISSI MOSFET
N 1 100 - - - - 15 110 480 PLUS220
IXFK24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 400 400 400 400 400 24 650 TO-268
IRF7603 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 600 35 5.6 1.8 Micro 8
FDS3512 80V N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 50 4 2.5 SOIC-8
STD2NK60Z N-CHANNEL 600V - 7.2? - 1.4A IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 7200 1.4 45 I-PAK
IXFR150N15 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 150 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 105 400 ISOPLUS247
STI30NM60ND N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) I2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 110 25 190 I2PAK
IRFP460C 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 200 20 235 TO-3PN
Si4686DY N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - - 11 7.8 18.2 5.2 SOIC-8
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019