Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXTP2N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6200 | 6200 | 6200 | 6200 | 6200 | 2 | 54 |
TO-220 |
| IXTA2N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6200 | 6200 | 6200 | 6200 | 6200 | 2 | 54 |
|
| IXTP3N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 3 | 125 |
TO-220AB |
| IXTA3N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 3 | 125 |
|
| STW3N150 | N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-247 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | - | - | - | - | 6000 | 2.5 | 140 |
|
| IXTY2N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 2 | 70 |
TO-252 |
| IXTU2N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 2 | 70 |
|
| IXTA2N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 2 | 70 |
|
| IXTP2N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 2 | 70 |
TO-220 |
| IXTH4N150 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 4 | 250 |
|
| STD2NK70Z | N-channel 700V - 6? - 1.6 A - DPAK/IPAK Zener protected SuperMESH™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 700 | - | - | - | - | 6000 | 1.6 | 45 |
D-PAK |
| BSS123W | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 10000 | 6000 | 0.17 | 0.2 |
SOT-23-3 |
| BSS123A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 10000 | 6000 | 0.17 | 0.36 |
SOT-23-3 |
| BSS123 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 6000 | 0.17 | 0.36 |
SOT-23-3 |
| FQU2N90 | 900V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 5600 | 1.7 | 50 |
|
| FQD2N90 | 900V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 5600 | 1.7 | 50 |
D-PAK |
| ZVN4525Z | 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | 5900 | 5600 | 0.25 | 1.2 |
SOT-89 |
| ZVN4525G | 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | 5900 | 5600 | 0.31 | 2 |
SOT-223-4 |
| ZVN4525E6 | 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | 5900 | 5600 | 0.23 | 1.1 |
SOT-23-6 |
| FQP2N90 | 900V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 5600 | 2.2 | 85 |
TO-220 |
