Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMP57D5UFB P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -50 - - - - - -0.2 0.425 DFN1411-3
NTB5605 Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp P-Channel, D2PAK ON Semiconductor MOSFET
P 1 -60 - - - - - -18.5 88 D2-PAK
SiA419DJ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 42 - 32 25 - 12 19 PowerPAK SC70-6
NTHD2102P Power MOSFET ?8.0 V, ?4.6 A Dual P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 2 -8 100 - - 50 - -3.4 1.1 ChipFET_1206-8
Si6423DQ P-Channel 12-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 12 11.2 - 8.5 6.8 - 8.2 1.05 TSSOP-8
TSM9933DCS Сдвоенный P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -4.7 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 2 -20 - 85 - 60 - -4.7 2 SOP-8
Si4866BDY N-Channel 12-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 12 6 - 4.8 4.2 - 21.5 4.45 SOIC-8
DMN5L06K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 3000 - - - - 0.3 0.35 SOT-23-3
IRF7475 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 12 - - 50 15 - 11 2.5 SOIC-8
Si1013X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 1800 - 1200 800 - 0.35 0.25 SC89-3
NTLJS2103P Power MOSFET -12 V, -7.7 A, Cool Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -12 45 - - 25 - -5.9 1.9 WDFN6
FDMC6890NZ Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - - 58 - 4 1.92 Power 33
NTP75N03L09 Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N?Channel TO?220 ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - - - 75 125 TO-220
DMN2170U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 - - - 50 - 2.3 0.6 SOT-23-3
Si5853CDC P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
P 1 20 170 - 120 86 - 4 3.1 ChipFET_1206-8
Si9926CDY Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 20 - - 17 15 - 8 3.1 SOIC-8
Si2305ADS P-Channel 8-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 8 70 - 48 32 - 5.4 1.7 SOT-23-3
PMV65XP P-channel TrenchMOS™ extremely low level FET NXP MOSFET
P 1 20 - - 90 65 - 3.9 1.92 SOT-23-3
IRF7604 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 20 - - 130 90 - 3.6 1.8 Micro 8
IRL3502S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - - 8 - 110 140 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019