Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IRFBG30 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 1000 - - - - 5000 3.1 125 TO-220AB
IXTY01N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.4 25 TO-252
IXFH18N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 660 660 660 660 660 18 830 TO-247
IXFP4N100QM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 2.2 46 TO-220-3 ISO
IXTP1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-220
IRFBG20PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.4 54 TO-220AB
IXTU01N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.4 25 TO-251
IXFT18N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 660 660 660 660 660 18 830 TO-268
IXFX24N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 24 560 PLUS247
IXTY1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-252
IRFBG20 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.4 54 TO-220AB
STP2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A,TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 TO-220
IXTP01N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.4 25 TO-220
IXFT15N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 15 690 TO-268
STF5NK100Z N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 2700 3.5 30 TO-220FP
IXFK24N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 24 560 TO-264
STU2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, IPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 I-PAK
IXFH15N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 15 690 TO-247
STW5NK100Z N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 2700 3.5 125 TO-247
IXFN26N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 23 595 SOT-227 B
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники