Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
RFD14N05 N-Channel Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 50 - - - - 100 14 48 TO-251 AA
IPD90N06S4-05 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 4.2 90 107 TO-252
BSC028N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2.8 100 83 SuperSO8
IRLI530GPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 160 9.7 42 TO-220F
STW54NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.052? - 54A TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 300 - - - - 52 54 300 TO-247
IRFI720G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 400 - - - - 1800 2.6 30 TO-220F
STD65N55F3 N-channel 55V - 6.5m? - 80A - DPAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 6.5 80 110 D-PAK
IRFSL3207ZPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 4.1 75 300 TO-262
NTD5803N Power MOSFET 40 V, 76 A, Single N?Channel, DPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - - 4.9 76 83 DPAK-4
STFV3N150 N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220FH STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 1100 2.5 30 TO-220FH
FA38SA50LC HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 130 38 500 SOT-227
STD95N2LH5 N-channel 25 V, 0.0038 ?, 80 A - DPAK STripFET™ V Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 25 - - - - 4.4 80 70 D-PAK
FDMT800152DC N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 150 В, 99 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 150 - - - - 6.5 99 156 PQFN 8x8
FQD2N90 900V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 900 - - - - 5600 1.7 50 D-PAK
STD5NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET DPAK, IPAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 900 5 96 D-PAK
I-PAK
STW23NM60ND N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-247 FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 150 20 150 TO-247
PSMN5R0-30YL N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 30 - - - - 3.63 84 61 SOT-669
TSM4N90CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 900 В, 4 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 900 - - - - 4000 4 38.7 ITO-220AB
IRFI9610G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 200 - - - - 3000 2 27 TO-220F
STW20NM60 N-channel 600V - 0.25? - 20A - TO-247 MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 250 20 192 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019