Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
ZVN3320F SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 200 - - - - 25000 0.06 0.33 SOT-23-3
STW9N150 N-channel 1500 V - 1.8 ? - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 1800 8 320 TO-247
IRF840AL HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 850 8 125 TO-262
ZVN0124A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 240 - - - - 16000 0.16 0.7 TO-92
IRFIZ34N HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 40 21 31 TO-220
FQI6N25 250V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 250 - - - - 820 5.5 63 I2PAK
STF23NM60ND N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-220FP FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 150 20 35 TO-220FP
SiA421DJ P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 30 - - - 46 29 12 19 PowerPAK SC70-6
PHB9NQ20T N-канальный TrenchMOS™ транзистор NXP MOSFET
N 1 200 - - - - 300 8.7 88 D2-PAK
FCU2250N80Z N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 800 В, 2.6 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 0.00225 2.6 39 I-PAK
IRF3315L HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 150 - - - - 82 21 94 TO-262
FQT4N25 250V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 250 - - - - 1380 0.83 2.5 SOT-223-4
STW16NM50N N-channel 500 V - 0.21 ? - 15 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 210 15 125 TO-247
SUD40N08-16 N-Channel 80-V (D-S) 175°C MOSFET Vishay MOSFET
N 1 80 - - - - 13 40 136 D-PAK
STD3NK50Z N-CHANNEL 500V - 2.8? - 2.3A DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 2800 2.3 45 D-PAK
I-PAK
FQP10N60C 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 600 9.5 156 TO-220
IRF7316 HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 2 30 - - - 98 58 4.9 2 SOIC-8
IPA60R600C6 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 600 - - - - 540 7.3 28 TO-220F
NTR1P02T1 Power MOSFET ?20 V, ?1 A, P?Channel SOT?23 Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 235 148 -1 0.4 SOT-23-3
IPD50R950CE 500В силовой транзистор серии CoolMOS™ CE Infineon Technologies MOSFET
N 1 500 - - - - 950 12.8 34 TO-252
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019