Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFM10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-204AA
IXFH10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-247AD
Si1023X Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 1800 - 1200 800 - 0.37 0.25 SC89-6
Si1013X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 1800 - 1200 800 - 0.35 0.25 SC89-3
Si1013R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 1800 - 1200 800 - 0.35 0.15 SC75A
IXTT8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-268
IXTH8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-247
SiA456DJ N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 1200 - 1120 1080 - 2.6 19 PowerPAK SC70-6
IXFR12N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1100 1100 1100 1100 1100 10 250 ISOPLUS247
IXFR14N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
N 1 1000 1100 1100 1100 1100 1100 9.5 200 ISOPLUS247
IXFH9N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1100 1100 1100 1100 1100 9 180 TO-247AD
IXFH8N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1100 1100 1100 1100 1100 8 180 TO-247AD
IXFQ10N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1100 1100 1100 1100 1100 10 300 TO-3P
IXTP7N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 1100 1100 1100 1100 1100 7 150 TO-220
IXFP10N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1100 1100 1100 1100 1100 10 300 TO-220
IXTA7N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 1100 1100 1100 1100 1100 7 150 TO-263
IXFH10N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1100 1100 1100 1100 1100 10 300 TO-247
IXFA10N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1100 1100 1100 1100 1100 10 300 TO-263
IXTP7N60PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 1100 1100 1100 1100 1100 4 41 TO-220-3 ISO
IXFH10N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1100 1100 1100 1100 1100 10 300 TO-247AD
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019