Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 100 - - - - 6000 0.17 0.36 SOT-23-3
Si1304BDL N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - 308 216 - 0.9 0.37 SC70-3
NTR1P02T1 Power MOSFET ?20 V, ?1 A, P?Channel SOT?23 Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 235 148 -1 0.4 SOT-23-3
DMP2004VK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 1700 - - 700 - -0.53 0.4 SOT-563
MGSF1N02LT1 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N?Channel SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
N 1 20 - - - 115 75 0.75 0.4 SOT-23-3
NTR1P02LT1 Power MOSFET ?20 V, ?1.3 A, P?Channel SOT?23 Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 135 - -1.3 0.4 SOT-23-3
DMP58D0SV DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -50 - - - - - -0.16 0.4 SOT-563
DMP57D5UV DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -50 - - - - - -0.16 0.4 SOT-563
VN2222LL Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts N?Channel TO?92 ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 7.5 0.14 0.4 TO-92
TSM2N7000KCT N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 0.1 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 5500 5000 0.1 0.4 TO-92
DMN5L06DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 - - - - 3500 0.308 0.4 SOT-26
2N7000TA Advanced Small Signal MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 5000 0.2 0.4 TO-92
2N7000 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 1800 1200 0.2 0.4 TO-92
DMN32D2LV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 2200 - - - - 0.4 0.4 SOT-563
2N7000BU Advanced Small Signal MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 5000 0.2 0.4 TO-92
NTJD1155L Power MOSFET 8 V, 1.3 A, High Side Load Switch with Level?Shift, P?Channel SC?88 ON Semiconductor MOSFET
P 2 8 260 - - 130 - 1.3 0.4 SC-88
BSH105 N-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
N 1 20 240 - 180 140 - 1.05 0.417 SOT-23-3
BSH207 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
P 1 12 140 - 117 80 - 1.52 0.417 SC74-6
BSH205 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
P 1 12 420 - 320 180 - 0.75 0.417 SOT-23-3
BSH203 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
P 1 30 1100 - 920 660 - 0.47 0.417 SOT-23-3
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019