Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTQ22N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 270 270 270 270 270 22 350 TO-3P
IXTQ110N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 15 15 15 15 15 110 480 TO-3P
FDH45N50F_F133 500V N-Channel MOSFET, FRFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - - 105 45 625 TO-247
TO-3P
TO-3PF
IXTQ30N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 200 200 200 200 200 30 460 TO-3P
IXTQ200N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 5 5 5 5 5 200 480 TO-3P
IXTQ44P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -150 65 65 65 65 65 -44 298 TO-3P
FQA28N50F 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - - 126 28.4 310 TO-3P
IXTQ69N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 49 49 49 49 49 69 500 TO-3P
IXTQ200N075T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 75 5 5 5 5 5 200 430 TO-3P
IXTQ240N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 240 480 TO-3P
IXTQ450P2 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 330 330 330 330 330 16 300 TO-3P
IXTQ102N15T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 150 18 18 18 18 18 102 455 TO-3P
TK40J60T Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 68 40 400 TO-3P
FQA24N50 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - - 156 24 290 TO-3P
IXTQ130N15T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 150 12 12 12 12 12 130 750 TO-3P
IXTQ30N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 200 200 200 200 200 30 400 TO-3P
IXTQ150N15P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 150 13 13 13 13 13 150 714 TO-3P
IXFQ10N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1100 1100 1100 1100 1100 10 300 TO-3P
IXTQ100N25P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 250 27 27 27 27 27 100 600 TO-3P
IXTQ30N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 240 240 240 240 240 30 540 TO-3P
Страницы: предыдущая 1 ... 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники