Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFI4019H-117P HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 150 - - - - 95 8.7 18 TO-220
2N7002VAC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 13500 0.28 0.15 SOT-563
Si4310BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 7.5 6.5 9.8 1.47 SO-14
NTJD5121N Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 ON Semiconductor MOSFET
N 2 60 - - - 290 - 0.295 0.25 SC-88
FDC6333C 30V N & P-Channel PowerTrench® MOSFETs Fairchild Semiconductor N+P
N, P 2 30 - - - 90 73 8 0.96 SSOT-6
IRF7101 HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 20 - - - 150 100 3.5 2 SOIC-8
MMDF1N05E Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N?Channel SO?8, Dual ON Semiconductor MOSFET
N 2 50 - - - 500 300 2 2 SOIC-8
Si5935DC Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 137 - 97 69 - 3 1.1 ChipFET_1206-8
NTGD3148N Power MOSFET 20 V, 3.5 A, Dual N-Channel, TSOP-6 ON Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - - 41.7 - 3 0.9 TSOP-6
IRFI4020H-117P HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 200 - - - - 100 9.1 21 TO-220
2N7002VC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 13500 0.28 0.15 SOT-563
Si1913DH Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 850 - 610 400 - 0.88 0.57 SC70-6
Si7964DP Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 60 - - - - 19 6.1 1.4 PowerPAK_SO-8
IRF7103 HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 50 - - - 200 130 3 2 SOIC-8
DMN2004DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 20 700 - - 400 - 0.54 0.225 SOT-26
MAX15025B 16нс, двухканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN Maxim Integrated Ключи и драйверы
MOSFET
- 2 - - - - - - 8 - TDFN-10
IRF5810 HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 2 20 - - 135 90 - 2.9 0.96 TSOP-6
NTGD3133P Power MOSFET ?20 V, ?2.5 A, P?Channel, TSOP?6 Dual ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 - - - 90 - -2.2 1 TSOP-6
FDS3912 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 100 - - - - 92 3 2 SOIC-8
IRFI4024H-117P HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 55 - - - - 60 11 14 TO-220




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019