Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 419 420 421 422 423 424 425 426 427 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFT15N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 600 600 600 600 600 15 300 TO-268
IXTT88N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 40 40 40 40 40 88 600 TO-268
IXFT30N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 200 200 200 200 200 30 460 TO-268
IXFT50N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 145 145 145 145 145 50 1040 TO-268
IXTT96N15P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 150 24 24 24 24 24 96 480 TO-268
IXFT36N55Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 550 160 160 160 160 160 36 500 TO-268
IXTT50P10 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -100 55 55 55 55 55 -50 300 TO-268
IXTT82N25P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 250 35 35 35 35 35 82 500 TO-268
IXFT26N60Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 250 250 250 250 250 26 360 TO-268
IXFT15N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-268
IXFT42N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 145 145 145 145 145 42 830 TO-268
IXTT24N50Q Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 240 240 240 240 240 24 360 TO-268
IRLBA1304P HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 40 - - - 6.5 4 185 300 TO-273AA
IRFBA22N50A HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 500 - - - - 230 24 340 TO-273AA
IRFBA1404P HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 40 - - - - 3.7 206 300 TO-273AA
IRLBA3803P HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 9 5 179 270 TO-273AA
IRFBA22N50APBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 500 - - - - 230 24 340 TO-273AA
IRFBA1405P HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 55 - - - - 5 174 330 TO-273AA
IRFBA90N20D HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 200 - - - - 23 98 650 TO-273AA
IRFPS38N60L HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 600 - - - - 120 38 540 TO-274AA
Страницы: предыдущая 1 ... 419 420 421 422 423 424 425 426 427 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники