Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STD5NK52ZD N-channel 520 V,1.22 ?,4.4 A,IPAK,DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 520 - - - - 1220 4.4 70 D-PAK
I-PAK
HUF75345G3 N-Channel UltraFET Power MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 55 - - - - 7 75 325 TO-247
STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 150 TO-220
IRF9Z14 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 60 - - - - 500 6.7 43 TO-220AB
IRFI840GLCPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 850 4.5 40 TO-220F
ZVP4424G SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -240 - - - - 7100 -0.48 2.5 SOT-223-4
STI15NM60ND N-channel 600 V - 0.27 ? - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET I?PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 270 14 125 I2PAK
NTF2955 Power MOSFET ?60 V, ?2.6 A, Single P?Channel SOT?223 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -60 - - - - 145 -2.6 2.3 SOT-223-4
IRFP17N50L HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 280 16 220 TO-247AC
IRFU4105Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 24.5 30 48 I-PAK
STP40NF10L N-channel 100V - 0.028? - 40A TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 28 40 150 TO-220
STP6NK90Z N-channel 900V - 1.56? - 5.8A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 900 - - - - 1560 5.8 140 TO-220
IRF634S HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 250 - - - - 450 8.1 74 D2-PAK
STB300NH02L N-channel 24V - 120A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 24 - - - - 2.1 120 300 D2-PAK
STF12NM60N N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-220FP Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 350 10 25 TO-220FP
STP8NM60N N-channel 600 V - 0.56 ? - 7 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 560 7 70 TO-220
IRF1312 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 80 - - - - 10 95 210 TO-220AB
FDS3590 80V N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 32 6.5 2.5 SOIC-8
BSC060N10NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 100 В, 90 А, 6.0 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 100 - - - - 6 90 125 SON-8
STN1NK60Z N-channel 600V - 13? - 0.8A - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 13000 0.3 3.3 SOT-223-4




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019