Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTQ182N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 5 5 5 5 5 182 360 TO-3P
IXFQ12N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 850 850 850 850 850 12 360 TO-3P
IXTQ102N20T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 23 23 23 23 23 102 750 TO-3P
IXTQ36P15P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -150 110 110 110 110 110 -36 300 TO-3P
IXTQ36N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 110 110 110 110 110 36 300 TO-3P
IXTQ130N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 9.1 9.1 9.1 9.1 9.1 130 360 TO-3P
IXTQ24N55Q Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 550 270 270 270 270 270 24 400 TO-3P
IXTQ36N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 170 170 170 170 170 36 540 TO-3P
IXTQ52P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -100 50 50 50 50 50 -52 300 TO-3P
IXTQ30N50L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 200 200 200 200 200 30 400 TO-3P
IXTQ23N60Q Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 320 320 320 320 320 23 400 TO-3P
IXTQ88N28T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 280 44 44 44 44 44 88 625 TO-3P
IXFQ24N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 270 270 270 270 270 24 480 TO-3P
IXTQ26N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 270 270 270 270 270 26 460 TO-3P
STFW3N150 N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1500 - - - - 1100 2.5 0 TO-3PF
FQAF11N90 900V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 900 - - - - 750 7.2 120 TO-3PF
STFW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1500 - - - - 5000 4 0 TO-3PF
FDAF59N30 300V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 300 - - - - 47 34 161 TO-3PF
FDH45N50F_F133 500V N-Channel MOSFET, FRFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - - 105 45 625 TO-247
TO-3P
TO-3PF
STFW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1500 - - - - 5000 4 0 TO-3PF
Страницы: предыдущая 1 ... 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники