Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BSH205 | P-channel enhancement mode MOS transistor |
|
NXP |
MOSFET |
P | 1 | 12 | 420 | - | 320 | 180 | - | 0.75 | 0.417 |
SOT-23-3 |
| BSH203 | P-channel enhancement mode MOS transistor |
|
NXP |
MOSFET |
P | 1 | 30 | 1100 | - | 920 | 660 | - | 0.47 | 0.417 |
SOT-23-3 |
| BSH202 | P-channel enhancement mode MOS transistor |
|
NXP |
MOSFET |
P | 1 | 30 | - | - | - | 890 | 630 | 0.52 | 0.417 |
SOT-23-3 |
| BSH201 | P-channel enhancement mode MOS transistor |
|
NXP |
MOSFET |
P | 1 | 60 | - | - | - | 2700 | 2100 | 0.3 | 0.417 |
SOT-23-3 |
| BSH121 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3100 | - | 2400 | 2300 | - | 300 | 0.7 |
SOT-323 |
| BSH114 | N-channel enhancement mode field effect transistor |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 400 | 0.85 | 0.83 |
SOT-23-3 |
| BSH112 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 3800 | 2800 | 300 | 0.83 |
SOT-23-3 |
| BSH111 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | 2400 | 2300 | - | 335 | 0.83 |
SOT-23-3 |
| BSH108 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 77 | 1.9 | 0.83 |
SOT-23-3 |
| BSH105 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 240 | - | 180 | 140 | - | 1.05 | 0.417 |
SOT-23-3 |
| BSH103 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 30 | 600 | - | 500 | 400 | - | 0.85 | 0.75 |
SOT-23-3 |
| BSF134N10NJ3 G | MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 13.4 | 40 | 43 |
|
| BSC600N25NS3 | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 250 В, 25 А, 60 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 60 | 25 | 125 |
|
| BSC320N20NS3 | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 200 В, 36 А, 32 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 32 | 36 | 125 |
|
| BSC190N15NS3 | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 150 В, 50 А, 19 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 19 | 50 | 125 |
|
| BSC077N12NS3 | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 120 В, 98 А, 7.7 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 120 | - | - | - | - | 7.7 | 98 | 139 |
|
| BSC060N10NS3 | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 100 В, 90 А, 6.0 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 6 | 90 | 125 |
|
| BSC047N08NS3 | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 80 В, 100 А, 4.7 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 4.7 | 100 | 125 |
|
| BSC046N10NS3 G | MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 4.6 | 100 | 156 |
|
| BSC042NE7NS3 | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 75 В, 100 А, 4.2 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 4.2 | 100 | 125 |
|
