Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFP4310ZPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 6 120 280 TO-247AC
STB120NF10 N-channel 100V - 0.009? - 110A - D?PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 9 110 312 D2-PAK
STF30NM60ND N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 110 25 40 TO-220FP
FDP5N50 N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 1150 5 85 TO-220
Si9407BDY P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 60 - - - 126 100 4.7 5 SOIC-8
IRF3709ZCL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 7.8 6.3 87 79 TO-262
FCP190N65F N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 650 В, 20.6 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 650 - - - - 190 20.6 208 TO-220
PSMN020-150W N-канальный TrenchMOS™ транзистор NXP MOSFET
N 1 150 - - - - 12 73 300 TO-247
STW21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 ?, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 170 17 140 TO-247
FDP16AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 70 - - - - 13 58 135 TO-220AB
Si7462DP N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 110 2.6 1.9 PowerPAK_SO-8
Si1902DL N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Copper Leadframe Vishay MOSFET
N 2 20 344 - 281 220 - 1.13 0.57 SC70-6
STP8NM60FP N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 900 8 0 TO-220FP
IPD50N06S4-09 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 7.1 50 71 TO-252
FQP11N40C 400V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 400 - - - - 430 10.5 135 TO-220
BSC014N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 1.45 100 156 SuperSO8
IRLI620G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 800 4 30 TO-220F
IRLR8113 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 7.4 6 94 89 D-PAK
STP75NF20 N-channel 200V - 0.028? - 75A - TO-220 Low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 28 75 190 TO-220
NTB75N06 Power MOSFET 75 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 8.2 75 214 D2-PAK




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019