Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTP05N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 30000 30000 30000 30000 30000 0.5 50 TO-220AB
IXTP6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-220AB
IXFV12N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 463 PLUS220
IXTU01N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.1 25 TO-251 AA
IXFB44N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 220 220 220 220 220 44 1250 PLUS264
IXTY08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-252
IXTH13N110 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1100 920 920 920 920 920 13 360 TO-247AD
IXFB40N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 260 260 260 260 260 40 1250 PLUS264
IXFN36N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 240 240 240 240 240 36 1000 SOT-227 B
IXFN40N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 260 260 260 260 260 34 890 SOT-227 B
IXFX30N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 360 360 360 360 360 30 960 PLUS247
IXFK30N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 360 360 360 360 360 30 960 TO-264
IXFL36N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 260 260 260 260 260 26 520 ISOPLUS_i5
IXFN30N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 360 360 360 360 360 25 1000 SOT-227 B
IXFR30N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 400 400 400 400 400 16 320 ISOPLUS247
IXTP08N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 25000 25000 25000 25000 25000 0.8 50 TO-220
IXTA08N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 25000 25000 25000 25000 25000 0.8 50 TO-263
IXTP06N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 34000 34000 34000 34000 34000 0.6 42 TO-220
IXTA06N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 34000 34000 34000 34000 34000 0.6 42 TO-263
IXFN32N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 310 310 310 310 310 32 1000 SOT-227 B
Страницы: предыдущая 1 ... 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники