Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMP2240UW P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 180 - - 92 - -1.5 0.25 SOT-323
DMN5010VAK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
NTZD3152P Small Signal MOSFET ?20 V, ?430 mA, Dual P?Channel with ESD Protection, SOT?563 ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 1000 - - 500 - -0.43 0.25 SOT-563
Si1016X Complementary N- and P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N+P
N+P 2 20 - - - - - - 0.25 SC89-6
Si1022R N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor Vishay MOSFET
N 1 60 - - - 3000 1250 0.33 0.25 SC75A
DMN5L06VAK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
DMN5L06VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
Si1012X N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 1250 - 850 700 - 0.5 0.25 SC89-3
DMN2004VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 20 700 - - 400 - 0.54 0.25 SOT-563
NTJD5121N Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 ON Semiconductor MOSFET
N 2 60 - - - 290 - 0.295 0.25 SC-88
2N7002A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3000 0.115 0.25 SOT-23-3
Si1051X P-Channel 8-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 8 117 - 106 91 - 1.2 0.236 SC89-6
Si1065X P-Channel 12-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 12 158 - 131 108 - 1.18 0.236 SC89-6
Si1058X N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 - - 103 76 - 1.3 0.236 SC89-6
Si1069X P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 - - 218 153 - 0.94 0.236 SC89-6
Si1056X N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 93 - 82 74 - 1.32 0.236 SC89-6
Si1067X P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 165 - 138 125 - 1.06 0.236 SC89-6
Si1054X N-Channel 12-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 12 95 - 87 79 - 1.32 0.236 SC89-6
Si1073X P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 30 - - - 202 144 0.98 0.236 SC89-6
Si1050X N-Channel 8-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 8 85 - 78 71 - 1.34 0.236 SC89-6




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019