Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTA08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-263
BSP130 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 300 - - 4800 - 3700 350 1.5 SOT-223-4
IXTP3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-220
IXTH3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-247
IXTA3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-263
BSN304 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 300 - - 4800 - 3700 0.3 1 TO-92
IXTY2N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 5100 5100 5100 5100 5100 2 55 TO-252
IXTP2N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 5100 5100 5100 5100 5100 2 55 TO-220
IXTP3N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 6000 6000 6000 6000 6000 3 125 TO-220AB
IXTA3N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 6000 6000 6000 6000 6000 3 125 TO-263
IXTY2N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 6000 6000 6000 6000 6000 2 70 TO-252
IXTU2N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 6000 6000 6000 6000 6000 2 70 TO-251
IXTA2N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 6000 6000 6000 6000 6000 2 70 TO-263
IXTP2N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 6000 6000 6000 6000 6000 2 70 TO-220
IXTH4N150 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1500 6000 6000 6000 6000 6000 4 250 TO-247
IXTP2N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 6200 6200 6200 6200 6200 2 54 TO-220
IXTA2N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 6200 6200 6200 6200 6200 2 54 TO-263
IXTY1R6N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 6500 6500 6500 6500 6500 1.6 43 TO-252
IXTP1R6N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 6500 6500 6500 6500 6.5 1.6 43 TO-220
Si1034X N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 20 9000 - 7000 5000 - 0.18 0.25 SC89-6




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019