Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 418 419 420 421 422 423 424 425 426 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFT20N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 520 520 520 520 520 20 500 TO-268
IXFT21N50Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 250 250 250 250 250 21 280 TO-268
IXFT36N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 190 190 190 190 190 36 650 TO-268
IXTT16N20D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 200 73 73 73 73 73 16 695 TO-268
IXFT12N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-268
IXFT18N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 600 600 600 600 18 540 TO-268
IXFT30N40Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 400 160 160 160 160 160 30 300 TO-268
IXTT88N15 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 150 22 22 22 22 22 88 400 TO-268
IXFT26N50Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 200 200 200 200 200 26 300 TO-268
IXFT70N30Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 54 54 54 54 54 70 830 TO-268
IXFT40N50Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 140 140 140 140 140 40 500 TO-268
IXFT400N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 400 1000 TO-268
IXTT26N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 230 230 230 230 230 26 400 TO-268
IXTT1H100 High Voltage MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.5 60 TO-268
IXFT52N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 120 120 120 120 120 52 960 TO-268
IXFT80N10Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 15 15 15 15 15 80 360 TO-268
IXTT170N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 9 9 9 9 9 170 714 TO-268
IXFT32N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 150 150 150 150 150 32 360 TO-268
IXTT10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-268
IXFT88N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 40 40 40 40 40 88 600 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 418 419 420 421 422 423 424 425 426 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники