Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFZ48S HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - - 18 50 190 D2-PAK
STP20NF20 N-channel 200V - 0.10? -18A- TO-220 Low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 100 18 90 TO-220
NDS351AN N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 120 92 1.4 0.5 SuperSOT -3
IRLR024Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - 100 58 16 35 D-PAK
ZXMP6A13G 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
P 1 -60 - - - 595 390 -2.3 2 SOT-223-4
IRFD224 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 250 - - - - 1100 0.63 1 HEXDIP
STD10NF10 N-channel 100V - 0.115? - 13A - DPAK - IPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 115 13 50 D-PAK
I-PAK
IRFS23N20D HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 200 - - - - 100 24 170 D2-PAK
STP11NM80 N-channel 800 V - 0.35 ? - 11 A - TO-220 MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 350 11 150 TO-220
DMN3051L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 54 33 5.8 1.4 SOT-23-3
FDB3502 75V N-Channel Power Trench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 75 - - - - 37 6 3.1 D2-PAK
STD110NH02L N-channel 24V - 0.0044? - 80A - DPAK STripFET™ III Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 24 - - - - 4.4 80 125 D-PAK
NVMFS5C612NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 2.3 1.5 235 167 DFN-5
IRF6623 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - - 9.7 5.7 55 42 DirectFET-ST
STD5NK52ZD N-channel 520 V,1.22 ?,4.4 A,IPAK,DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 520 - - - - 1220 4.4 70 D-PAK
I-PAK
FQP90N10V2 100V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 8.5 90 250 TO-220
NTD5806N Power MOSFET 40V 33A 19 mOhm Single N-Channel DPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 17.8 12.7 33 40 D-PAK
TSM3404CX N-канальный MOSFET транзистор, 30 В, 5.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 43 30 5.8 0.75 SOT-23-3
STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 150 TO-220
HUF75345G3 N-Channel UltraFET Power MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 55 - - - - 7 75 325 TO-247




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019