Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
MLD1N06CL SMARTDISCRETES MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N?Channel DPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 62 - - - - - 1 40 D-PAK
IRFBE20 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 800 - - - - 6500 1.8 54 TO-220AB
STB55NF06 N-channel 60V - 0.015? - 50A - D2PAK/I2PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 60 - - - - 15 50 110 D2-PAK
I2PAK
IRFR3505 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 13 30 140 D-PAK
STB9NK70Z N-CHANNEL 700V - 1W - 7.5A D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 700 - - - - 1000 7.5 115 D2-PAK
I2PAK
FQA8N100C 1000V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 1000 - - - - 1200 8 225 TO-3PN
STP200NF03 N-channel 30V - 0.0032? - 120A - TO220 STripFET™ III Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 3.2 120 300 TO-220
FDMC86340ET80 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 80 В, 68 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 6.5 68 65 Power 33
IRF540N HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 44 33 140 TO-220AB
STF30NM60N N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 100 25 40 TO-220FP
FDD20AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 17 45 90 TO-252 AA
SUP36N20-54P N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 44 36 166 TO-220
STF11NM60N N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - TO-220FP second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 370 10 25 TO-220FP
TSM1NB60CW Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 10000 0.5 2.1 SOT-223-3
IRF9510PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 100 - - - - 1200 4 43 TO-220AB
STW12NM60N N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 350 10 90 TO-247
FQPF3N80C 800V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 4000 3 39 TO-220F
IXFV110N10PS PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISSI MOSFET
N 1 100 - - - - 15 110 480 PLUS220SMD
STP2NK60Z N-CHANNEL 600V - 7.2? - 1.4A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 7200 1.4 45 TO-220
STP30NM60ND N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 110 25 190 TO-220




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019