Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 419 420 421 422 423 424 425 426 427 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFN160N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 300 19 19 19 19 19 130 900 SOT-227
IXFH340N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 340 935 TO-247
IXTH360N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 360 935 TO-247
IXFT340N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 340 935 TO-268
IXTT360N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 360 935 TO-268
IXTH420N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 40 2 2 2 2 2 420 935 TO-247
IXTN550N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 550 940 SOT-227
IXZ2210N50L RF Power MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 - - - - 1000 10 940 DE275X2
IXTN600N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 40 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05 600 940 SOT-227
IXFN520N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 480 940 SOT-227
IXFN62N80Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 140 140 140 140 140 49 960 SOT-227 B
IXTQ480P2 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 120 120 120 120 120 52 960 TO-3P
IXFX120N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 300 24 24 24 24 24 120 960 PLUS247
IXFN44N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 220 220 220 220 220 38 960 SOT-227 B
IXTK60N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 100 100 100 100 100 60 960 TO-264
IXFX32N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 32 960 PLUS247
IXTX5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 960 PLUS247
IXTX60N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 100 100 100 100 100 60 960 PLUS247
IXFK32N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 32 960 TO-264
IXFT52N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 120 120 120 120 120 52 960 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 419 420 421 422 423 424 425 426 427 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники