Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 419 420 421 422 423 424 425 426 427 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
NTUD3171PZ Small Signal MOSFET ?20 V, ?200 mA, Dual P?Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT?963 Package ON Semiconductor MOSFET
 P 2 -20 3400 - 2000 - - -200 -125 SOT?963
IXTP4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-220
IXTA4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-263
IXTH5N100A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 5 180 TO-247AD
IXTM5N100A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 5 180 TO-204AA
IXTY4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-252
IXTU4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-251
IXTH12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-247
IXTA6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-263
IXTH6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-247
IXTP6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-220AB
IXTY1R6N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 2300 2300 2300 2300 2300 1.6 100 TO-252
IXTP1R6N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 2300 2300 2300 2300 2300 1.6 100 TO-220AB
IXTA1R6N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 2300 2300 2300 2300 2300 1.6 100 TO-263
BSH121 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
 N 1 55 3100 - 2400 2300 - 300 0.7 SOT-323
BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
 N 1 55 - - 2400 2300 - 335 0.83 SOT-23-3
TN2404K N-Channel 240-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 240 - - 2400 2300 2200 0.3 0.8 SOT-23-3
IXTT6N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 2600 2600 2600 2600 2600 6 300 TO-268
IXTH6N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 2600 2600 2600 2600 2600 6 300 TO-247AD
IXFH6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 419 420 421 422 423 424 425 426 427 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники