Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STP130NS04ZB N-channel clamped - 7 m? - 80A TO-220 Fully protected mesh overlay™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 0 - - - - 7 80 300 TO-220
IRFB16N50KPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 285 17 280 TO-220AB
STB15NM65NT4 N-channel 650V - 0.25 Ом - 15.5A - D2PAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 150 D2-PAK
STP16N65M5 N-channel 650 V, 0.270 ?, 12 A MDmesh™ V Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 0.27 12 90 TO-220
Si7108DN N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 - - - 5 4.1 14 1.5 PowerPAK_1212-8
IXFH21N50Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 250 250 250 250 250 21 280 TO-247AD
IXFV110N25T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 250 24 24 24 24 24 110 694 PLUS220
IPS80R1K4P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
N 1 800 - - - - 1400 4 32 TO-251
IRFP4468PbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - 2 2.6 195 520 TO-247AC
HUF75329D3S N-Channel UltraFET Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 55 - - - - 22 20 128 TO-252 AA
IRF7822 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 6.5 - 18 3.1 SOIC-8
IRFS4115-7PPbF 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 150 - - - - 10 105 380 D2-PAK-7
IXTA50N20P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 200 60 60 60 60 60 50 360 TO-263
IXTZ550N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1 1 1 1 1 550 600 DE-475
PHT6N06T TrenchMOS (tm) standard level FET NXP MOSFET
N 1 55 - - - - 128 5.5 8.3 SOT-223-4
STB80NF06 N-channel 60V - 0.0065? - 80A D2PAK STripFETTM II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 60 - - - - 6.5 80 300 D2-PAK
STP5NK100Z N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 2700 3.5 125 TO-220
IRL630A Advanced Power MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - 400 - 9 69 TO-220
IRFI840G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 850 4.6 40 TO-220F
IXTH60N25 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 250 46 46 46 46 46 60 400 TO-247AD




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019