Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFR180N07 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 70 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 180 | 400 |
|
|
IPB180N03S4L-01 | N-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 1.2 | 0.9 | 180 | 188 |
TO-263-7 |
|
IRF1302 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | - | 4 | 180 | 230 |
TO-220AB |
|
IPB180N03S4L-H0 | N-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 0.95 | 0.73 | 180 | 250 |
TO-263-7 |
|
IXFR180N06 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 60 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 180 | 560 |
|
|
IRFB4110PBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 4.5 | 180 | 370 |
TO-220AB |
|
IXTQ180N10T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 6.4 | 6.4 | 6.4 | 6.4 | 6.4 | 180 | 480 |
|
|
NDPL180N10B | N-канальный MOSFET-транзистор, 100В/ 180А | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 3.5 | 180 | 200 |
TO-220 |
|
IRFB4110QPBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 4.5 | 180 | 370 |
TO-220AB |
|
IXFK180N25T | N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 180 | 1390 |
|
|
IXFK180N07 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | ISSI |
MOSFET |
N | 1 | 70 | - | - | - | - | 6 | 180 | 560 |
|
|
IPB014N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 180 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.2 | 180 | 214 |
TO-263-7 |
|
IXFX180N25T | N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 180 | 1390 |
|
|
IXTH180N10T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 6.4 | 6.4 | 6.4 | 6.4 | 6.4 | 180 | 480 |
|
|
IPB010N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 180 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 0.8 | 180 | 300 |
TO-263-7 |
|
NDBA180N10B | N-канальный MOSFET-транзистор, 100В/ 180А | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 3.3 | 180 | 200 |
|
|
IXFX180N15P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 180 | 830 |
|
|
IXFA180N10T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 180 | 480 |
|
|
IXTA180N10T7 | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 6.4 | 6.4 | 6.4 | 6.4 | 6.4 | 180 | 480 |
TO-263-7 |
|
IXFK180N15P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 180 | 830 |
|