Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTK20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 TO-264
IXTH10P60 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-247AD
IXTT10P60 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 N 1 -600 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-268
IXFM11N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 950 950 950 950 950 11 300 TO-204AA
IXFH11N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 950 950 950 950 950 11 300 TO-247AD
IXFH16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 950 950 950 950 950 16 660 TO-247
IXFT16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 950 950 950 950 950 16 660 TO-268
IXFH14N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 950 950 950 950 950 14 500 TO-247
IXFC12N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 930 930 930 930 930 7 120 ISOPLUS220
IXTH13N110 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1100 920 920 920 920 920 13 360 TO-247AD
BSH203 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
 P 1 30 1100 - 920 660 - 0.47 0.417 SOT-23-3
IXTM12N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-204AA
IXTH12N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-247
IRLML6302 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 P 1 20 - - 900 600 - 0.78 0.54 SOT-23-3
IXFH9N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 900 900 900 900 900 9 180 TO-247AD
IXFV12N90PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 900 900 900 900 900 12 380 PLUS220SMD
IXFH12N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 900 900 900 900 900 12 380 TO-247
IXFV12N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 900 900 900 900 900 12 380 PLUS220
TK5P60W Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV Toshiba MOSFET
 N 1 600 900 900 900 900 900 5.4 60 D-PAK
IXFT12N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники