+ NDBA180N10B, N-канальный MOSFET-транзистор, 100В/ 180А
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

NDBA180N10B N-канальный MOSFET-транзистор, 100В/ 180А

 

Блок-схема

NDBA180N10B, N-канальный MOSFET-транзистор, 100В/ 180А

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 100
RDS(ON) 10 В,мОм 3.3
ID,А 180
PD,Вт 200
Корпус TO-263

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Низкое сопротивление открытого канала
  • Низкий заряд затвора
  • Высокое быстродействие
  • Транзистор полностью прошел испытание на лавинный пробой
  • Конструкция прибора не содержит свинца и галоидных соединений (только модели NDBA100N10B и NDBA180N10B) и отвечает требованиям директивы RoHS

Преимущества:

  • Повышает КПД за счет снижения потерь проводимости
  • Упрощает схему управления затвором и имеет малое время открывания
  • Снижает динамическую мощность рассеяния
  • Гарантия стойкости к перегрузкам по напряжению
  • Бережное отношение к окружающей среде
Datasheet
 
NDBA180N10B (795.5 Кб), 25.12.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

NDBA180N10B N-канальный MOSFET-транзистор, 100В/ 180А (795.5 Кб), 25.12.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 409 		Дата публикации: 25.12.2015 10:28
Дата редактирования: 25.12.2015 10:30

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники