IPB180N03S4L-H0 N-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor

 

Блок-схема

IPB180N03S4L-H0, N-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 30
RDS(ON) 4.5 В,мОм 0.95
RDS(ON) 10 В,мОм 0.73
ID 180
PD,Вт 250
Корпус TO-263-7

Общее описание

Datasheet
 
IPB180N03S4L-H0 (161 Кб), 14.12.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IPB180N03S4L-H0 N-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor (161 Кб), 14.12.2009




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 724
Дата публикации: 14.12.2009 10:06
Дата редактирования: 14.12.2009 10:09


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019