Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| FDMS7672 | N-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® 30 В, 28 А, 5.0 мОм |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 6.9 | 5 | 28 | 48 |
Power 56 |
| STF4LNK60Z | N-channel 600 V, 2.2 ?, 3.3 A, TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 2200 | 3.3 | 25 |
|
| FQPF5N50CF | 500V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 1300 | 5 | 38 |
TO-220F |
| IXFN520N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 1.9 | 1.9 | 1.9 | 1.9 | 1.9 | 480 | 940 |
SOT-227 |
| IRF7842 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 5.9 | 5 | 18 | 2.5 |
SOIC-8 |
| PSMN005-55P | N-channel logic level TrenchMOS (tm) transistor |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 5.3 | 4.8 | 75 | 230 |
TO-220AB |
| IXTK120N20P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 22 | 22 | 22 | 22 | 22 | 120 | 714 |
|
| STP8NK100Z | N-CHANNEL 1000V - 1.60? - 6.5A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 1600 | 6.5 | 160 |
TO-220 |
| FDD6635 | 35V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 35 | - | - | - | - | 19 | 59 | 55 |
D-PAK TO-252 |
| STI45N10F7 | N-канальный силовой MOSFET транзистор, технология STripFET™VII, 100 В, 45 А |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 18 | 45 | 60 |
|
| STP80NF55-06FP | N-channel 55V - 0.005? - 80A - TO-220FP STripFET™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 5 | 60 | 45 |
|
| IXTT50N30 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 65 | 65 | 65 | 65 | 65 | 50 | 400 |
|
| FMD15-06KC5 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 165 | 165 | 165 | 165 | 165 | 15 | - |
|
| STP6NK60Z | N-channel 600 V - 1 ? - 6 A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 100 | 6 | 110 |
TO-220 |
| FDH5500_F085 | N-Channel UltraFET Power MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 5.2 | 75 | 375 |
|
| IXFH20N60Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | 20 | 300 |
|
| IRF1405ZL-7P | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 4.9 | 150 | 230 |
|
| IRLZ24 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 100 | 17 | 60 |
TO-220AB |
| STS30N3LLH6 | N-channel 30 V, 0.0016 ?, 30 A, SO-8 STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 3 | 1.6 | 30 | 2.7 |
SOIC-8 |
| NTD65N03R | Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N?Channel, DPAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 9.7 | 6.5 | 65 | 50 |
D-PAK |
