Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IRF2907ZS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 4.5 170 330 D2-PAK
FQA170N06 60V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - - 4.5 170 375 TO-3PN
IXFB170N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 18 18 18 18 18 170 1250 PLUS264
IRF2907ZL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 4.5 170 330 TO-262
IRF2907Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 4.5 170 330 TO-220AB
IRFB3207ZPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 4.1 170 300 TO-220AB
IXTP170N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 75 5.4 5.4 5.4 5.4 5.4 170 360 TO-220
IRFB3207 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 4.5 170 330 TO-220AB
IXTA170N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 75 5.4 5.4 5.4 5.4 5.4 170 360 TO-263
IRFPS3810 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 100 - - - - 9 170 441 TO-274AA
IXFX170N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 14 14 14 14 14 170 1250 PLUS247
IXTK170N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 9 9 9 9 9 170 714 TO-264
IXFK170N10P PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISSI MOSFET
 N 1 100 - - - - 9 170 714 TO-264
IXFK170N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 14 14 14 14 14 170 1250 TO-264
IXTT170N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 9 9 9 9 9 170 714 TO-268
IXFH170N10P PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISSI MOSFET
 N 1 100 - - - - 9 170 714 TO-247
IXTQ170N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 9 9 9 9 9 170 714 TO-3P
IXFK170N20T N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 11 11 11 11 11 170 1150 TO-264
IRFS3207 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 4.5 170 330 D2-PAK
IXFX170N20T N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 11 11 11 11 11 170 1150 PLUS247
Страницы: предыдущая 1 ... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники