Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTV200N10TS N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 200 550 PLUS220SMD
IXTP200N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 200 360 TO-220
STV200N55F3 N-channel 55 V - 1.8 m? - 200 A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 55 - - - - 1.8 200 300 PowerSO-10
IXTV200N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 200 550 PLUS220
IXTA200N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 200 360 TO-263
IXTN200N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 200 550 SOT-227 B
IXTQ200N06P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 60 6 6 6 6 6 200 714 TO-3P
IXTQ200N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 200 550 TO-3P
IXFN200N07 HiPerFET Power MOSFETs ISSI MOSFET
 N 1 70 - - - - 6 200 520 SOT-227
IXTH200N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 200 550 TO-247
IXFN200N06 HiPerFET Power MOSFETs ISSI MOSFET
 N 1 60 - - - - 6 200 520 SOT-227
IXTQ200N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 5 5 5 5 5 200 480 TO-3P
IRFP3077PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 3.3 200 340 TO-247AC
IXTH200N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 5 5 5 5 5 200 480 TO-247
IXTA200N085T7 N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 5 5 5 5 5 200 480 TO-263-7
IXTA200N055T2-7 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 200 360 TO-263-7
IXTP200N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 5 5 5 5 5 200 480 TO-220
IXFN200N06 HiPerFET Power MOSFETs IXYS MOSFET
 N 1 70 - - - - 6 200 520 SOT-227
IXTA200N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 5 5 5 5 5 200 480 TO-263
BSS192 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
 P 1 240 - - - - 12000 200 1 SOT-89
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники