Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFP15N60L HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 385 15 280 TO-247AC
STW6NK70Z N-channel 700V - 1.5? - 5A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 700 - - - - 1500 5 110 TO-247
ZXMN6A25DN8 Dual 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
N 2 60 - - - 70 50 5 1.25 SOIC-8
IRFU4104 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 5.5 42 140 I-PAK
STD40NF10 N-channel 100V - 0.025? - 50A DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 25 50 125 D-PAK
IRF634NPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 250 - - - - 435 8 88 TO-220AB
STP12NM60N N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-220 Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 350 10 90 TO-220
FQPF55N10 100V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 21 34.2 60 TO-220F
IRF8010S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 15 80 260 D2-PAK
STP22NF03L N-channel 30 V, 0.0038 ?, 22 A, TO-220 STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 38 22 45 TO-220
SQJ844EP Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 37 24 30 48 PowerPAK_SO-8
Si7170DP N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - - 3.6 2.7 40 48 PowerPAK_SO-8
FQU13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 92 11 28 I-PAK
STF7NM50N N-channel 500V - 0.70? - 5A - TO-220FP Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 700 5 20 TO-220FP
FDMC86139P P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -100 В, выполненный по технологии PowerTrench® Fairchild Semiconductor MOSFET
P 1 -100 - - - - 67 -15 40 MLP 3.3x3.3
STD1LNK60Z N-channel 600V - 13? - 0.8A - IPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 13000 0.8 25 D-PAK
I-PAK
FQD9N25 250V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 250 - - - - 330 7.4 55 D-PAK
IRF1310NL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 36 42 160 TO-262
PHB110NQ06LT N-channel Trenchmos (tm) logic level FET NXP MOSFET
N 1 55 - - - 7.1 6.2 75 200 D2-PAK
BSC042NE7NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 75 В, 100 А, 4.2 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 75 - - - - 4.2 100 125 SON-8
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019