Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXFA180N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET)

 

Блок-схема

IXFA180N10T2, N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 6
RDS(ON) 2,7 В,мОм 6
RDS(ON) 2,5 В,мОм 6
RDS(ON) 4.5 В,мОм 6
RDS(ON) 10 В,мОм 6
ID,А 180
PD,Вт 480
Корпус TO-263
Datasheet
 
IXFx180N10T2 (208.2 Кб), 19.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFx180N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) (208.2 Кб), 19.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 435 		Дата публикации: 19.01.2012 11:27
Дата редактирования: 19.01.2012 11:27

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники