Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
FDN357N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 81 53 1.9 0.5 SuperSOT -3
NTGS3443T1 Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P?Channel TSOP?6 ON Semiconductor MOSFET
 P 1 -20 - - 82 58 - -2.2 0.5 TSOP-6
FDN337N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 54 - 2.2 0.5 SuperSOT -3
FDN327N N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 20 65 - - 40 - 2 0.5 SuperSOT -3
FDN361BN 30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 120 92 1.4 0.5 SuperSOT -3
NDS355AN N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 105 65 1.7 0.5 SuperSOT -3
FDN5618P 60V P-Channel PowerTrench® Specified MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 P 1 -60 - - - 185 148 -5 0.5 SuperSOT -3
FDN360P Single P-Channel PowerTrench® MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 P 1 -30 - - - 100 63 -10 0.5 SuperSOT -3
DMN100 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 170 240 1.1 0.5 SC-59
FDN5630 60V N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - - 73 1.7 0.5 SuperSOT -3
DMP2104LP P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 180 - - 92 - -1.5 0.5 DFN1411-3
FDN358P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 P 1 -30 - - - 161 105 -1.5 0.5 SuperSOT -3
FDN335N N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 20 - - - 55 - 1.7 0.5 SuperSOT -3
BS107P N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 200 - - - - - 0.12 0.5 TO-92
FDN306P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 P 1 -12 54 39 - 30 - -10 0.5 SuperSOT -3
NDS351AN N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 120 92 1.4 0.5 SuperSOT -3
DMP2012SN P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 - - - 230 - -0.7 0.5 SC-59
Si1926DL Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 2 60 - - - 3000 1400 0.37 0.51 SC70-6
PMV48XP P-канальный MOSFET-транзистор 20В, 3.5А NXP MOSFET
 P 1 -20 55 55 55 55 55 -3.5 0.51 SOT-23-3
PMV32UP P-канальный MOSFET-транзистор 20В, 4А NXP MOSFET
 P 1 -20 36 36 36 36 36 -4 0.51 SOT-23-3
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники