Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMN2114SN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 - - - 100 - 1.2 0.5 SC-59
FDS6894A Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 21 - - 13 - 8 1.6 SOIC-8
Si5499DC P-Channel 1.5V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 8 46 - 37 30 - 6 6.2 ChipFET_1206-8
Si9926BDY Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 20 - - 24 16 - 6.2 1.14 SOIC-8
Si2315BDS P-Channel, 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 12 71 - 50 40 - 3 0.75 SOT-23-3
TSM301K12CQ P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -4.5 А со встроенным диодом Шоттки Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 185 131 - 94 - -4.5 6.5 TDFN-6
PMN50XP P-channel TrenchMOS extremely low level FET NXP MOSFET
P 1 20 - - - 48 - 4.8 2.2 SOT-23-6
IRF7701GPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 12 - - - 11 - 10 1.5 TSSOP-8
IRL3502 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - - 8 - 110 140 TO-220AB
FQP5N50C 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - 1140 - 5 73 TO-220
IRLR3802 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 12 - - 30 8.5 - 84 88 D-PAK
BSS84V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -50 - - - - - -0.13 0.15 SOT-563
SiA513DJ N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N+P 2 12 - - 152 91 - 4.5 6.5 PowerPAK SC70-6
Si6943BDQ Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 12 - - 8 6 - 2.3 0.8 TSSOP-8
TSM6981DCA Сдвоенный P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 2 -20 60 50 - 40 - -5 1.14 TSSOP-8
FDV305N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 20 - - - 164 - 0.9 0.35 SOT-23-3
IRF7901D1 HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 30 - - - 32 - 6.2 2 SOIC-8
SiA850DJ N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode Vishay MOSFET
N 1 190 3500 - 3200 3000 - 0.95 7 PowerPAK SC70-6
DMP2305U P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 87 - - 45 - -4.2 1.4 SOT-23-3
Si4500BDY Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) Vishay MOSFET
N+P
N+P 2 20 - - 24 16 - 3.8 1.3 SOIC-8
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019