Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| FB180SA10 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 6.5 | 180 | 480 |
SOT-227 |
| STH310N10F7-2 | N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 2.3 | 180 | 315 |
|
| IXFK180N10 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 180 | 560 |
|
| IRLB4030PbF | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 3.6 | 3.4 | 180 | 370 |
TO-220AB |
| IRLBA3803P | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 9 | 5 | 179 | 270 |
|
| IXTN200N10L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 178 | 830 |
SOT-227 |
| IXFE180N10 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 176 | 500 |
|
| IRF2805 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 4.7 | 175 | 330 |
TO-220AB |
| IRF1302S | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | - | 4 | 174 | 200 |
D2-PAK |
| IRF1302L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | - | 4 | 174 | 200 |
TO-262 |
| IRFBA1405P | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 5 | 174 | 330 |
|
| BSN20 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 50 | - | - | - | - | 2800 | 173 | 0.83 |
SOT-23-3 |
| IRFP4568PbF | 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | 4.8 | 5.9 | 171 | 517 |
TO-247AC |
| IXFK170N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | 170 | 714 |
|
| IXFH170N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | 170 | 714 |
|
| IRF2204S | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 3.6 | 170 | 200 |
D2-PAK |
| IRF6618 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 3.4 | 2.2 | 170 | 89 |
|
| IRF2204L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 3.6 | 170 | 20 |
D2-PAK |
| IXFK170N10 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 170 | 560 |
|
| IXFN170N10 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 170 | 600 |
|
