Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BLF578XR | Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 500 | 50 | - | 1400 | 23.5 | 69 | Да |
|
| AFT09MP055GNR1 | Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
764 | 941 | 12.5 | 47.6 | 57 | 17.5 | 69 | Да |
|
| AFT09MP055NR1 | Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
764 | 941 | 12.5 | 47.6 | 57 | 17.5 | 69 | Да |
|
| AFT05MP075GNR1 | Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
136 | 520 | 12.5 | 48.5 | 70 | 18.5 | 68.5 | Да |
|
| AFT05MP075NR1 | Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
136 | 520 | 12.5 | 48.5 | 70 | 18.5 | 68.5 | Да |
|
| MRF6V2150N | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
10 | 450 | 50 | 51.8 | 150 | 25 | 68.3 | Да |
|
| MRF6V2300N | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
10 | 600 | 50 | 54.8 | 300 | 25.5 | 68 | Да |
|
| STAC9200 | Радиочастотный силовой LDMOS транзистор |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
200 | 1300 | 32 | - | 230 | 18 | 68 | Да |
|
| MRF6VP21KH | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
10 | 235 | 50 | 60 | 1000 | 24 | 67.5 | Да |
NI-1230 |
| MRF8VP13350N | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
700 | 1300 | 50 | 55.4 | 350 | 20.7 | 67.5 | Да |
|
| CLF1G0035S-100 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 100 | 15.5 | 67.4 | Да |
|
| CLF1G0035-100 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 100 | 15.5 | 67.4 | Да |
|
| BLF888AS | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | - | 600 | 20 | 67 | Да |
|
| BLF888A | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | - | 600 | 20 | 67 | Да |
|
| MRF6V12250H | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
960 | 1215 | 50 | 54.4 | 275 | 20.3 | 65.5 | Да |
|
| SD57045 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 45 | 18.5 | 65 | Да |
|
| CLF1G0035S-50 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 50 | 15 | 65 | Да |
|
| BLA6G1011LS-200R | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1030 | 1090 | 26 | - | 200 | 20 | 65 | Да |
|
| CLF1G0035-50 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 50 | 15 | 65 | Да |
|
| BLA6G1011L-200R | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1030 | 1090 | 26 | - | 200 | 20 | 65 | Да |
|
